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爱德华edwards涡轮分子泵STP1003 DN200CF 进气口

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爱德华edwards涡轮分子泵STP1003 DN200CF 进气口

  • 所属分类:分子泵

  • 点击次数:
  • 发布日期:2017/12/31
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详细介绍

STP Maglev 真空分子涡轮泵 爱德华edwards涡轮分子泵STP1003 DN200CF 进气口

为了实现始终如一的可靠性能 和零维护,您每次都可以依赖于 Edwards 的 STP Maglev 涡轮分子泵 来实现。

我们的第一套 STP Maglev 涡轮分子泵于 1983 年售出,现在已经在世界各地 安装了 130,000 多套。其中的 85% 都运行于半导体制程工具中, 表现出了卓越的性能级别和可靠性。  

对于需要长时间正常运行、无碳氢 化合物泵送、维护量少和低振动的应用, STP Maglev 涡轮分子泵是首选泵。转子通过磁力轴承实现完全 悬浮,因此,消除了转子与泵其余部分之间的 所有接触。除振动极低之外,消除接触 还意味着转子旋转时 不会发生轴承接触,也就无需对泵进行后续 维护。 

产品开发的每个设计阶段均 融合了节能技术,以确保降低 能耗和提升运行效率,同时不损害 质量和性能。

  • 提高了生产效率:
    更快抽空到基准压力

  • 体积紧凑: 
    节省空间并且易于安装

  • 低拥有 成本:
    低功耗和水电消耗

  • 免维护: 
    经济 


应用
产品系列
STP 控制器

概述

Edwards STP1003 是新型的涡轮分子泵,可用于最先进的半导体应用。Edwards 的转子技术可实现一流的性能,最大的制程灵活性。这种泵已经由半导体和磁介质行业的大型设备制造商投入使用,并得到了认可。

应用

  • 金属(铝)、钨和电介质(氧化物)以及多晶硅等离子刻蚀(氯化物、氟化物和溴化物)

  • 电子回旋共振 (ECR) 刻蚀

  • 薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD

  • 溅射

  • 离子注入源,射束线泵送端点站

  • MBE

  • 扩散

  • 光致抗蚀剂脱模

  • 晶体/晶膜生长

  • 晶片检查

  • 负载锁真空腔

  • 科学仪器:表面分析、质谱分析、电子显微镜

  • 高能物理:射束线、加速器

  • 放射线应用:融合系统、回旋

概述

Edwards STP1003 是新型的涡轮分子泵,可用于最先进的半导体应用。Edwards 的转子技术可实现一流的性能,最大的制程灵活性。这种泵已经由半导体和磁介质行业的大型设备制造商投入使用,并得到了认可。

应用

  • 金属(铝)、钨和电介质(氧化物)以及多晶硅等离子刻蚀(氯化物、氟化物和溴化物)

  • 电子回旋共振 (ECR) 刻蚀

  • 薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD

  • 溅射

  • 离子注入源,射束线泵送端点站

  • MBE

  • 扩散

  • 光致抗蚀剂脱模

  • 晶体/晶膜生长

  • 晶片检查

  • 负载锁真空腔

  • 科学仪器:表面分析、质谱分析、电子显微镜

  • 高能物理:射束线、加速器

  • 放射线应用:融合系统、回旋

功能和优势

先进的转子技术  
  • 最大的制程灵活性
  • 无油
  • 低振动
  • 高度可靠
  • 免维护
  • 可用于严苛制程(C 型)
  • 使用寿命延长
先进的控制器设计  
  • 自动调整
  • 自行诊断功能
  • 直流电机驱动
  • 无电池运行
紧凑型设计  
  • 占地面积小
  • 半机架控制器

技术数据

入口法兰ISO200F
出口KF40
吹扫口KF10
抽速
  N21000 ls-1
  H2800 ls-1
压缩比
  N2>108
  H2>105
加热时的极限压力(VG/ISO 法兰)10-7 Pa

(10-9 Torr)
加热时的极限压力(ICF 法兰)10-8 Pa

(10-10 Torr)
最大连续出口压力13 Pa

(0.1 Torr)
额定速度35000 rpm
启动时间6 分钟
最高入口法兰温度120 °C
输入电压100 至 120 (± 10) V 交流或

至 240 (± 10) V 交流
启动时的功耗0.8 kVA
泵重量31 kg
控制器重量9 kg


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